Абрамов І І, Гончаренко І А, Коломейцева Н В Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, м Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Анотація – Проведено дослідження впливу положення кордонів розділу «зшивання» на розраховуються вольт-амперні характеристики (ВАХ) двобарєрної резонанс-но-тунельних діодів (РТД) за допомогою комбінованої двухзонной моделі