Yu P Bliokh, G S Nusinovich*, J Felsteiner, Y Carmel*, A G Shkvarunets*, J C Rodgers*, V L Granatstein* Physics Department, Technion-lsrael Institute of Technology Haifa, Israel *lnstitute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland College Park, MD, USA

Костров А в, Костров В А, Смирнов Л І, Стріковскій Л В, Янін Д В Інститут прикладної фізики РАН м Нижній Новгород, вулиця Ульянова, д 46, 603950, Росія Тел : +7 (8312) 164853, e-mail: smimov@applsci-nnovru Анотація – За допомогою резонансного НВЧ-зонда на відрізку двухпроводной ЛІНІЇ досліджена динаміка зміни ГУСТИНИ сипучих середовищ у газовому потоці Розроблено […]

Анотація – У роботі представлені результати теоретичного аналізу двох модифікацій аксіально-симметрич-них електронно-оптичних систем зі сходящейся оптикою на основі раніше розробленого алгоритму Отримано інформацію про профіль і розподілі щільності струму електронного пучка з урахуванням токооседанія на електродах

Masoud Movahhedi, AbdolAli Abdipour Microwave/mm-wave & Wireless communication research Lab., Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran E-mail: Movahhedi@aut.ac.ir, Abdipour@aut.ac.ir Abstract – A new wavelet-based simulation approach for the analysis and simulation of microwave/mm-wave transistors is presented. For the first time in the literature, Daubechies-base wavelet approach is applied to semiconductor equations to […]

Гоків А. М., Тирнов О. Ф. Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна пл. Свободи 4, Харків – 61077, Україна Тел.: (80572) 7051251; e-mail: Alexander.M.Gokov @ univer.kharkov.ua Fig. 1. Electron density variations during terminator passage