Процес дифузії може бути використаний для легування кристалів напівпровідників: обємного у разі швидко дифундують домішок і приповерхневого у разі повільно дифундують домішок (формування p − n-Переходу) Важливими параметрами дифузійного легування, як і легування взагалі, є гранична розчинність електрично активних домішок Cim  і її температурна залежність Як вже говорилося, основою для визначення Cim може служити рівняння (821) […]