Дислокації – Лінійні дефекти кристалічної решітки типу обриву або зсуву атомних площин, що порушують правильність їх чергування Енергія освіти дислокацій істотно вище енергії утворення точкових дефектів, тому вони не можуть існувати у вимірних концентраціях як термодинамічно стійкі дефекти Вони легко утворюються при вирощуванні монокристалів або епітаксійних плівок, що супроводжується термічними, механічними та концентраційними напруженнями, що […]

1 Дислокації не можуть обриватися усередині кристала і повинні або замикатися самі на себе, або розгалужуватися на інші дислокації, або виходити на поверхню кристала Ця властивість є наслідком того, що лінія дислокації являє собою криву, уздовж якої вектор Бюргерса b залишається постійним Для вузла розгалужуються дислокацій справедлива теорема, аналогічна теоремі Кирхгофа для розгалужуються ліній струмів: […]

Під двовимірними дефектами розуміють такі порушення в ідеальному розташуванні атомів в кристалі, які володіють великою протяжністю у двох вимірах при незначній (у кілька міжатомних відстаней) протяжності у третьому Малокутових кордону Бюргерс припустив, що кордон зєднання двох монокристалічних блоків, разоріентіровать один від

Механізм утворення центрів нової фази може бути гомогенним або гетерогенним Гомогенним називається утворення зародка нової фази в обємі вихідної фази, що супроводжується утворенням всій поверхні, що обмежує зародок Гіббс вперше показав, що зародок нової фази стає стійким лише за умови, що його розмір перевершує певний критичне значення Області нової фази, розмір яких менше критичного, називаються […]

Дислокації впливають не тільки на механічні властивості кристалів (пластичність, міцність), 9 для яких наявність дислокацій є визначальним, а й на інші фізичні властивості кристалів, наприклад, на електричні Дислокації подібно домішковим атомам і власним точкових дефектів можуть створювати додаткові електронні стану в забороненій зоні Наприклад, при наявності крайової дислокації атоми, що утворюють край атомної напівплощині (лінію […]