Принцип дії діодів, транзисторів і інших так званих активних компонентів заснований на властивостях напівпровідникових матеріалів. В електроніці традиційно використовувалися два класи

Розглянемо поведінку домішок в напівпровідникових зєднаннях на прикладі сполук типу AIIIBV Поведінка домішок у зєднаннях типу AIIIBV так само, як і в елементарних напівпровідниках, визначається положенням домішки в періодичній системі, проте воно стає більш складним через ускладнення будови основної речовини У зєднаннях зростає число різних позицій, які можуть займати домішкові атоми

До теперішнього часу найбільш повні дані про коефіцієнти дифузії різних домішок отримані для германію та кремнію Спочатку основна увага при дослідженні дифузії було зосереджено на визначенні коефіцієнтів дифузії тих домішок, які суттєво змінювали електричні властивості цих напівпровідників і приводили до виникнення p − n-Переходів До таких домішок перш за все відносяться елементи IIIA і VA […]

Електрофізичні властивості кристалів визначаються, як було зясовано в гол 3, що містяться в них структурними дефектами і домішками Вимога тривалості та стабільності роботи напівпровідникових приладів робить одним з найважливіших завдань технології завдання отримання досконалих монокристалів із заданим значенням параметрів Однак отримання чистих елементарних речовин, необхідних для виробництва різних, в тому числі легованих і складних, напівпровідників, […]

Однорідні кристали напівпровідників найпростіше отримати, використовуючи без всяких змін звичайні кристалізаційні процеси: нормальну спрямовану кристалізацію і зонну плавку У цьому випадку використовують приблизно однорідно легированную частина кристала Аналіз кривих розподілу домішок (див гл 5) в цих процесах показує, що найбільш рівномірно легована частина кристала примикає до одного з його кінців, тому доцільно для подальшої роботи […]

Для ряду практичних застосувань (створення тунельних діодів, світлодіодів та інших напівпровідникових приладів) необхідно отримувати сильно леговані напівпровідники Тому є важливим знання граничної розчинності CSmaxдомішок в матеріалі (у твердій фазі) Під цим терміном мається на увазі концентрація домішки в насиченому твердому розчині, утвореному основною речовиною і даної домішкою Якщо концентрація домішки в напівпровіднику менше CSmax, То […]

Розглянемо особливості легування кристалів у процесі їх вирощування з рідкої фази Широко застосовуваним методом отримання легованих монокристалів напівпровідників є вирощування їх з розплаву, до якого додана потрібна домішка Загальні принципи такого легування полягають у наступному Навішування домішки pi, Що підлягає введенню в розплав або рідку зону для отримання в твердому кристалі концентрації Ni, Розраховується за […]

Представлені на рис 811 температурні залежності розчинності швидко дифундують домішок можуть обумовлювати ефекти оборотних змін концентрації електрично активних домішок Наприклад, якщо домішка введена дифузією при досить високій температурі, коли її розчинність близька до максимальної, то подальше зниження температури робить відповідний твердий розчин пересиченим У таких умовах, як і будь-яка нерівноважна система, розчин прагне перейти в […]

Дифузія в напівпровідникових матеріалах має ряд особливостей Найважливішою з цих особливостей є наявність в напівпровідниках електрично активних домішок і власних дефектів, насамперед вакансій Кулонівське взаємодія між ними змінює рухливість, концентрацію і характер розподілу дефектів і відповідно умови і швидкість дифузії Важливо також, що вплив домішок у напівпровідниках проявляється при дуже малих концентраціях Крім того, на […]

Процес дифузії може бути використаний для легування кристалів напівпровідників: обємного у разі швидко дифундують домішок і приповерхневого у разі повільно дифундують домішок (формування p − n-Переходу) Важливими параметрами дифузійного легування, як і легування взагалі, є гранична розчинність електрично активних домішок Cim  і її температурна залежність Як вже говорилося, основою для визначення Cim може служити рівняння (821) […]