Мікросхеми імпульсних стабілізаторів напруги містять такі ж основні функціональні блоки, що і раніше розглянуті мікросхеми управління імпульсними джерелами живлення. Відмінність полягає в тому, що замість трансформатора тут використовують індуктивність, а електричний ланцюг зворотного зв’язку по напрузі утворюється не з вторинної обмотки трансформатора, а з резистивного дільника вихідної напруги. Конструктивно цей резистивний дільник може бути виконаний […]

В біполярному транзисторі з ізольованим затвором (IGBT – Isolated Gate Bipolar Transistor) з’єднані в одному кристалі за схемою складеного фактично два типи транзисторів: потужний біполярний транзистор і керуючий MOSFET (рис. 2.13).

Досить висока температурна стабільність джерел опорної напруги забезпечується при одночасному використанні двох МОП-транзисторів – одного з вбудованим каналом (М2), другий – з індукованим (Ml), як показано на рис. 3.13 [114].

Нагрівальними системами з досить великою тепловою інерцією можна управляти за принципом «включено-виключено» Якщо керуючі тиристори включаються при нульовій напрузі, спотворення в струмі споживання будуть дуже малі (але не нульові) Цей спосіб управління має істотні переваги перед фазовим керуванням, але ефект мерехтіння теж може створити проблеми Спектри частот при виключенні з нульовим напругою дуже цікаві тим, […]

Оцінка теплового режиму транзистора IGBT є відправною точкою для прийняття рішення про розробку додаткового радіатора охолодження У технічній документації всі необхідні дані для такої оцінки є: наведено теплові опору «кристал-корпус», «корпус-радіатор», «кристал-середовище», мається графічно представлена ​​залежність нормованого теплового опору «кристал-корпус» від частоти проходження імпульсів

На рис 3132 показана схема зєднань блоку З неї видно, що в його складі не застосовано жодних оригінальних

Компонування блоку з використанням відцентрового вентилятора показана на рис 3112, габаритні розміри – на рис 3113, а схема зєднання елементів – аналогічно показаної на рис 3111 Яка особливість цієї конструкції і в чому її «родзинка» Фахівцям фірми за рахунок застосування плоских елементів (радіатора і вентилятора) вдалося створити плоский, а значить, і зручний для компонування блок, […]

Технічні рішення, використані в блоці, показані на рис 319 і рис 3110, а схема внутрішніх зєднань – на рис 3111 Основу цього блоку також становить радіатор, він же виконує роль несучої конструкції Збоку до радіатора прикріплений вентилятор охолодження і клеми підключення фаз мережевої напруги Зверху встановлені діодні збірки Всі електричні co-

На Рис 136 наведена типова схема підвищувального типу з IGBT-транзистором Коли ключ відкритий, струм протікає через дросель і в ньому запасається енергія Після закривання ключа цей струм заряджає конденсатор, включений паралельно навантаженні, до напруги, що перевищує вхідна напруга перетворювача

Блок типу являє собою блок некерованих випрямітельнихдіодов, включених за схемеЛаріонова (рис 316) Габаритні розміри блоку показані на рис 317, а схема зєднання елементів – на рис 318