Найпоширенішим елементом електронних схем є резистори, або опору, які «чинять опір» протіканню через них електричного струму. Необхідно відразу пояснити поняття сили струму і напруги, безпосередньо пов’язані з опором.

У схемі (рис20) конструкції холодного ВЕК між елементаміЗ ПЕ і шаром 4 ВЕЕ є невелика в порівнянні з анодним напругою різниця потенціалів (150-300В) У такій схемі кожен первинний електрон, тунелювати з елементів

Серед твердих тіл, як добре відомо, можна виділити певні групи речовин, що відрізняються природою сил, що діють між атомами в твердому тілі, і особливостями їх зонної структури, – метали, напівпровідники, діелектрики У металах переважним типом хімічного звязку між атомами є металевий тип звязку, а в напівпровідниках і діелектриках – ковалентний або ковалентно-іонний та іонно-ковалентний типи […]

Аркуша Ю В, Прохоров Е Д, Стороженко І П Харківський національний університет імені В Н Каразіна пл Свободи, 4, м Харків, 61077, Україна тел: (057) 705-12-62 Анотація – Представлені результати дослідження енергетичних і частотних характеристик діодів Ганна на ос-нове трьох різних варізонних зєднань ΑΙχ (ζ) Gai * (Z) As, lnx (z) Gai-x (z) As і […]

Анотація – Моделюються характеристики польового гетеротранзістора з вбудованими квантовими точками на основі двовимірної чисельної моделі I                                       Введення

Бор – єдиний елементарний напівпровідник, розташований лівіше IVA підгрупи в періодичній системі Структура його валентної оболонки – 2s2p1 У більшості зєднань він трехвалентен, тому розподіл електронів по валентним орбиталям в ньому можна представити у вигляді 2s12p2 Однак при утворенні простих sp2-гібридних звязків у борі валентна оболонка атомів бору не заповнюється повністю, проте бор, як напівпровідник, […]

У зєднаннях першого типу найбільш електронегативний елемент IVA підгрупи грає роль компонента B Розглянемо цей тип заміщення на прикладі зєднання Mg2Sn Mg2Sn кристалізується в структурі антіфлюоріта, яка показана на рис 224 Видно, що ця структура відрізняється від структури алмазу, а в молекулі два атоми A і число валентних електронів в розрахунку на один атом менше […]

Ковалентний звязок здійснюється усуспільненими валентними електронами, що знаходяться на загальній для двох сусідніх атомів звязує орбіталі (Див розд 221) При цьому у разі елементарних речовин кожен з атомів «віддає» на звязок однакове число валентних електронів і добудовує свою валентну оболонку до повністю заповненої за рахунок звязують електронів найближчих сусідніх атомів в решітці З цією властивістю […]

Раніше вже говорилося, що при утворенні хімічного звязку відбувається розщеплення дискретних енергетичних рівнів ізольованих атомів на рівні, які групуються в зони, між якими можуть бути енергетичні зазори Можливі такі ситуації: 1) верхні дозволені зони перекриваються

Елементи, які мають напівпровідниковими властивостями, тобто мають переважно ковалентний тип звязку, утворюють в таблиці Д І Менделєєва компактну групу Знизу і ліворуч з нею межують метали, зверху і праворуч – речовини, у твердому стані є ізоляторами (табл 11)