Журавльов К С, Торопов А І, Мансуров В Г Інститут фізики напівпровідників, Сибірське відділення Російської Академії наук пр Ак Лаврентьєва, 13, м Новосибірськ, 603950, Росія тел: 383-304474, e-mail: zhur@thermoispnscru

Ж. І. Алфьоров, Н. А. Малєєв, Н. Н. льодяників, В. М. Устинов Фізико-технічний інститут ім. Іоффе РАН 194021, м. С-Петербург, Політехнічская, 26 * тел. (+7-812) 247-91-32, e-mail: maleev@beam.ioffe.rssi.ru Анотація Представлені результати з розробки конструкцій і технології виготовлення епітаксійних гетероструктур для польових СВЧ-транзисторів та напівпровідникових лазерів різного типу. Розроблено технологія отримання гетероструктур в системах матеріалів AIGaAs […]