Абрамов І І, Гончаренко І А, Коломейцева Н В Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, м Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Анотація – Проведено дослідження впливу положення кордонів розділу «зшивання» на розраховуються вольт-амперні характеристики (ВАХ) двобарєрної резонанс-но-тунельних діодів (РТД) за допомогою комбінованої двухзонной моделі

Головащенко Р В, Горошко Є В, Варавін А В, Плевако А С, Деркач В Н Інститут радіофізики та електроніки ім А Я Усикова НАН України вул Ак Проскури, 12, м Харків, 61085, Україна тел: 8 (057) -7203-463, e-mail: derkach@irekharkovua Анотація – Розглянуто апаратно-програмний комплекс, призначений для дослідження спектральних та енергетичних характеристик резонансних систем в міліметровому […]

Бєляєв Б. А., Волошин А. С. Інститут Фізики ім. Л. В. Киренського СО РАН Академмістечко, Красноярськ – 660036, Росія Тел.: 3912-494591; e-mail: Belyaev@iph.krasn.ru Анотація – Досліджено конструкції мікрополоскових моделей смугово-пропускають фільтрів на сверхрешетках, що розрізняються законом зміни діелектричної проникності на кордонах шарів. Показано, що характеристики не залежать від виду інтерфейсу, якщо товщина перехідної області між […]

Ільченко М. Є., Кравчук С. А. Науково-дослідний інститут телекомунікацій НТУУ «КПІ» Індустріальний пров., 2, 03056, Київ-056, Україна тел. 241-77-23, e-mail: sakravchuk@ukr.net Наритнік Т. Н., Войтенко А. Г. Інститут електроніки та зв’язку УАННП Пр. 50-річчя Жовтня, 2-Б, Київ-148, 03148 тел. 477-94-30; 478-34-63, e-mail: iec@naverex.kiev.ua