В силу складності свого внутрішнього устрою транзистори IGBT вимагають більш ретельного і глибокого аналізу інформації, що міститься в технічній документації І тут дуже важливо мати якомога більше детальну технічну інформацію «від виробника» Провідні зарубіжні фірми давно навчилися не економити на інформаційній підтримці та безкоштовно надавати розробнику величезну кількість параметрів, графіків режимів, прикладів типових застосувань, чого […]

Тепер розглянемо більш докладно процеси, що відбуваються при комутації IGBT транзисторів, використовуючи таку ж методику, яка застосовувалася нами для транзисторів MOSFET, тобто за умови подання на затвор прямокутних імпульсів з високою крутизною фронтів і спадів Але спочатку попередимо читача, що у складі IGBT приладу також є паразитні міжелектродні ємності, які «затягують» динамічні процеси (рис 2132) […]