Напівпровідниковий діод утворюється простим з’єднанням кристала типу η з кристалом типу р. Електрони в такому p-η переході можуть переміщатися з кристала п, де їх надлишок, до кристалу р, де вони в дефіциті, але виключно в одному напрямку. У напівпровідникових приладах процеси переміщення зарядів відбуваються в кристалі (твердому тілі), а в електронних лампах – у вакуумі.

Принцип дії діодів, транзисторів і інших так званих активних компонентів заснований на властивостях напівпровідникових матеріалів. В електроніці традиційно використовувалися два класи

Біполярні технології розглянемо на прикладі так званої «сорокавольтовой» біполярної технології з ізоляцією p-η переходом, яка була історично першою технологією для виробництва кристалів ІМС силової електроніки. На рис. 4.1 представлений вертикальний зріз типовий напівпровідникової структури біполярної силовий мікросхеми.

Розглянемо двенадцатівольтових КМОП технологію виготовлення кристалів ІМС стабілізаторів напруги. На додаток до звичайної КМОП технології для ІМС силової електроніки необхідно створити ПМОП транзистор з вбудованим каналом для отримання температуронезавісімого джерела опорного напруги. Крім того, щоб забезпечити перевагу КМОП технології перед біполярними, необхідно створити високоомні резистори з питомим опором порядку 10 кОм / кв.

Сминтина В А, Кулинич О А, Глауберман М А, Чемересюк Г Г, Яцунський І Р, Свиридова О В Одеський національний університет ім І І Мечникова вул Дворянська, 2, Одеса, Україна e-mail: eltech@elaninetcom Анотація – Іспольауя сучасні методи дослідження визначено вплив дефектів вихідного кремнію на процеси дефектоутворення у високотемпературних і низькотемпературних діоксиду кремнію Встановлено, що домішки, […]

У табл 14 і 15 представлені електричні характеристики сонячних модулів і батарей Таблиця 14 Електричні характеристики сонячних модулів вітчизняного виробництва

Сонячна батарея складається з окремих елементів, зєднаних послідовно-паралельно (рис 13, 14) Елементи застосовуються в портативних пристроях радіоелектронної техніки, для мініатюрних світильників (на світлодіодах) і зарядних пристроїв стільникових телефонів

На ступінь очищення матеріалу методом зонної плавки впливають такі параметри, як її швидкість, чистота контейнера, в якому вона проводиться, і температура плавлення очищаемого матеріалу У реальних умовах фронт кристалізації може рухатися зі швидкістю більшою, ніж швидкість дифузії домішки в розплаві У цих нерівноважних умовах звязок між концентраціями в твердій і рідкій фазах описується за допомогою […]

До електрично неактивним домішках в германии і кремнії відносяться ізоелектронних домішки, а також такі домішки, як водень, кисень, азот Для германію та кремнію ізоелектронними домішками є елементи з IVA підгрупи – Pb, Sn і C Домішки подібного роду не змінюють концентрацію носіїв заряду, проте можуть впливати на часи життя вільних носіїв заряду і робити внесок […]

А. І. Демченко, С. В. Корякін, Н. І. Завадська, Е. В. Лобко УП “Мінський НДІ радіоматеріалів” вул. Кіжеватова, 86, Мінськ-220024, Білорусь тел.: 017-2782305, e-mail: irma (cbinfonet.bv Анотація Наведено результати дослідження коригування механічної напруги в діелектричної мембрані Si3N4Si02Si3N4. Метод коригування полягає в іонно-променевого травленні плівки нітриду кремнію або плівки оксиду кремнію в залежності від переважного прогину […]