Встановлено, що гранично допустима температура кремнієвого кристала ІМС – плюс 150 ° С. Дана температура задається не тільки зовнішнім середовищем, а й нагріванням активної структури кристала в процесі роботи мікросхеми. Для малопотужних мікросхем даний нагрів неістотний і температура кристала ненабагато перевищує температуру навколишнього середовища. Для потужних схем при неправильно вибраному тепловому режимі експлуатації температура кристала […]

Як було зазначено вище, на практиці необхідно знатьчісленние значення як мінімум двох типів теплових опорів, Які ви

Силові напівпровідникові прилади та силові інтегральні мікросхеми (ІМС) розсіюють порівняно велику потужність. Тому одним з найважливіших завдань розробника силового приладу є пошук і реалізація відповідного технічного рішення, що забезпечує ефективне відведення надлишкової теплової енергії від активної структури напівпровідникового кристала. Всі сучасні потужні силові напівпровідникові пристрої випускаються в корпусах, що забезпечують ефективний тепловий контакт між їх […]

Богданов Ю М, Галдецької А В, Красник В А, Лапін В Г, Лукянов В А, Темпів Л М, Щербаков Ф Е ФГУП НПП «Исток» вул Вокзальна, 2а, Фрязіно, 141190, Росія Телефон: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86, e-mail: istkor@elnetmskru Анотація – Представлені результати розробки трьох типів дискретних керуючих монолітних схем:

Дислокації – Лінійні дефекти кристалічної решітки типу обриву або зсуву атомних площин, що порушують правильність їх чергування Енергія освіти дислокацій істотно вище енергії утворення точкових дефектів, тому вони не можуть існувати у вимірних концентраціях як термодинамічно стійкі дефекти Вони легко утворюються при вирощуванні монокристалів або епітаксійних плівок, що супроводжується термічними, механічними та концентраційними напруженнями, що […]

Метод сублімації-конденсації можна застосовувати для вирощування конгруентно випаровуються напівпровідникових зєднань і твердих розчинів на їх основі, компоненти яких мають досить високими тисками парів (≈ 1 мм рт ст), а також у випадках, коли кристали матеріалів складно виростити іншими методами Вирощування

Друга програма розрахунку теплових характеристик транзисторів типу MOSFET представлена ​​фірмою «International Rectifier» під назвою HEXRISE [62] На відміну від програмного забезпечення фірми «Semikron», інсталяційний файл можна завантажити з сайту і працювати з програмою в автономному режимі, проте для її коректної роботи необхідно, щоб на компютері був встановлений Microsoft Access 2000 Ця програма дозволяє провести динамічний […]

Однорідні кристали напівпровідників найпростіше отримати, використовуючи без всяких змін звичайні кристалізаційні процеси: нормальну спрямовану кристалізацію і зонну плавку У цьому випадку використовують приблизно однорідно легированную частина кристала Аналіз кривих розподілу домішок (див гл 5) в цих процесах показує, що найбільш рівномірно легована частина кристала примикає до одного з його кінців, тому доцільно для подальшої роботи […]

Всі природні і синтезовані монокристали і в ще більшому ступені кристаліти полікристалів відрізняються від ідеальних тим, що містять різні порушення структури кристала Порушення ідеальної трансляційній симетрії кристала називаються структурними дефектами Дефекти справляють істотний вплив на багато параметрів твердих тіл До таких параметрів належать електропровідність, фотопровідність, теплопровідність, швидкість дифузії, магнетизм, твердість, міцність і пластичність, щільність і […]

Всі технологічні методи вирощування монокристалів з рідкої фази можна розділити на дві групи: вирощування з власних розплавів і вирощування з розчинів Розплав – Це рідка фаза, склад якої відповідає складу кристалізується нелегованого речовини або зєднання