Вирощування кристалів з розплаву в даний час є найбільш поширеним промисловим процесом, тому що в порівнянні з іншими методами методи вирощування з розплаву володіють найвищою продуктивністю Це обумовлено тим, що в розплавах дифузійні процеси в рідкій фазі (дифузія до фронту кристалізації компонентів кристаллизующейся фази) не є лімітуючої стадією процесу За допомогою цих методів можна отримувати […]

Однорідні кристали напівпровідників найпростіше отримати, використовуючи без всяких змін звичайні кристалізаційні процеси: нормальну спрямовану кристалізацію і зонну плавку У цьому випадку використовують приблизно однорідно легированную частина кристала Аналіз кривих розподілу домішок (див гл 5) в цих процесах показує, що найбільш рівномірно легована частина кристала примикає до одного з його кінців, тому доцільно для подальшої роботи […]

Розглянемо особливості легування кристалів у процесі їх вирощування з рідкої фази Широко застосовуваним методом отримання легованих монокристалів напівпровідників є вирощування їх з розплаву, до якого додана потрібна домішка Загальні принципи такого легування полягають у наступному Навішування домішки pi, Що підлягає введенню в розплав або рідку зону для отримання в твердому кристалі концентрації Ni, Розраховується за […]

У технології напівпровідників поряд з кристалізацією речовин з власних розплавів широко використовуються процеси, засновані на кристалізації з розчинів Основною перевагою цього методу вирощування кристалів є те, що процес проводять при значно нижчих температурах, ніж кристалізація з розплавів Вирощування з розчинів часто є єдиним методом, що дозволяє отримувати обємні напівпровідникові монокристали з дуже високими температурами плавлення […]

Всі технологічні методи вирощування монокристалів з рідкої фази можна розділити на дві групи: вирощування з власних розплавів і вирощування з розчинів Розплав – Це рідка фаза, склад якої відповідає складу кристалізується нелегованого речовини або зєднання

Для виготовлення багатьох напівпровідникових приладів необхідний легований матеріал Можливі такі способи легування: 1) легування вже вирощених кристалів 2) легування кристалів у процесі вирощування з рідкої фази 3) легування кристалів у процесі вирощування з газової фази

У методах нормальної спрямованої кристалізації заготівля розплавляється цілком, а потім розплав кристалізується з одного кінця Спільним для цих методів є зростання кристала в контакті зі стінками тигля, містить розплав Створення переохолодження на фронті кристалізації здійснюють шляхом переміщення тигля з розплавом щодо нагрівача, що створює теплове поле з градієнтом температури, або шляхом переміщення нагрівача щодо тигля […]

Механізм утворення центрів нової фази може бути гомогенним або гетерогенним Гомогенним називається утворення зародка нової фази в обємі вихідної фази, що супроводжується утворенням всій поверхні, що обмежує зародок Гіббс вперше показав, що зародок нової фази стає стійким лише за умови, що його розмір перевершує певний критичне значення Області нової фази, розмір яких менше критичного, називаються […]

Механічна підживлення розплаву твердою фазою Можливі два способи: Рис 72 Схема методу механічної підживлення розплаву твердою фазою: 1 – Живильний кристал 2 – Нагрівач для підігріву живлячої кристала 3 – Тигель 4 – Вирощуваний кристал 5 – Розплав 6 – Основний нагрівач

Азарко І І, Дутов А Г, Оджа В Б, Толстих П В, Янковський О Н Білоруський державний університет пр Незалежності, 4, м Мінськ, 220050, Білорусь e-mail: azarko @ bsuby Анотація – Досліджено вплив умов синтезу мікрокристалічних порошків алмазу на процеси утворення парамагнітних дефектів Встановлено зменшення кількості одиночних атомів азоту, що знаходяться у вузлах решітки алмаза […]