БіКМОП технологія характеризується виготовленням на одному кристалі ІМС п-МОП 1, р-МОП 2, п-р-п 3, р-п-р 4 транзисторів, а також пасивних елементів. Послідовність технологічних операцій приведена нижче. На підкладці p-типу провідності методом дифузії або іонним легуванням сурми (або миш’яку) формують п+ прихований шар 5.