Скрипник Ю О, Шевченко К Л, Яненко А Ф Київський національний університет технологій та дизайну вул Немировича-Данченка, 2, м Київ, 01011, Україна тел: 044 2562993, e-mail: autom@icomua Анотація – Розглянуто нові методи підходу до оцінки комфортності одягу побутового та спеціального призначення з урахуванням електрофізичних характеристик матеріалів, які використовуються для її виготовлення

Бакалов В П, Ігнатьєв Ф Н Московський авіаційний інститут (державний технічний університет) ГСП-3, Волоколамское ш, Буд4, 125993, Москва Анотація – Досліджується пропускна спроможність під-локон-оптичних каналів в умовах впливу іонізуючого випромінювання

Про принципи проектування моткових виробів, що використовуються в приладах силової електроніки (сюди входять дроселі, реактори, трансформатори) написано достатньо книг, тому ми не будемо тут повторюватися і детально розяснювати читачеві, що таке ідеальні і реальні індуктивні елементи, як обчислювати поле в магнітопроводах, як розрахувати в них теплові втрати, як вибрати відповідне перетин обмотувальних проводів, які бувають […]

Всі природні і синтезовані монокристали і в ще більшому ступені кристаліти полікристалів відрізняються від ідеальних тим, що містять різні порушення структури кристала Порушення ідеальної трансляційній симетрії кристала називаються структурними дефектами Дефекти справляють істотний вплив на багато параметрів твердих тіл До таких параметрів належать електропровідність, фотопровідність, теплопровідність, швидкість дифузії, магнетизм, твердість, міцність і пластичність, щільність і […]

На ступінь очищення матеріалу методом зонної плавки впливають такі параметри, як її швидкість, чистота контейнера, в якому вона проводиться, і температура плавлення очищаемого матеріалу У реальних умовах фронт кристалізації може рухатися зі швидкістю більшою, ніж швидкість дифузії домішки в розплаві У цих нерівноважних умовах звязок між концентраціями в твердій і рідкій фазах описується за допомогою […]

Питання про однорідність розподілу домішок по довжині і поперечному перетину вирощуваного монокристала вже обговорювалося в гол 5 і гол 6 З розглянутого матеріалу можна зробити висновок, що існує кілька факторів, що викликають появу неоднорідностей складу в зростаючому кристалі Неоднорідності з причин їх виникнення можна розділити на дві групи: сегрегаційних та технологічні

Ольшевський А Л, Попель В М, Костенко Г А Державне конструкторське бюро «Південне» імені М К Янгеля вул Криворізька, 3, м Дніпропетровськ, 49008, Україна тел . +38 (0562) 384793, e-mail: dk@dniprokosmosdpua Овсяников В В Дніпропетровський національний університет вул Наукова, 13, корп 12, м Дніпропетровськ, 49050, Україна тел: +38 (056) 7769092, e-mail: ovsyan_viktor@mailru

Поговоримо тепер про магнітодіелектриків Ці матеріали розроблені на основі мелокопомолотих порошків, що володіють магнітними властивостями, і сполучного діелектричного матеріалу на основі полістиролу У магнітодіелектриків частинки магнетика відокремлені один отдруга діелектричної середовищем, що є одночасно електричною ізоляцією і механічною звязкою всієї системи Магнітна проникність магнітодіелектриків невелика (Від декількох одиниць до сотень відносних одиниць) Завдяки великому Розмагнічуючі […]

Островецький Ю. І., Супрун Н. П., Скрипник Ю. А., Шевченко К. Л., Яненко А. Ф * Київський Національний Університет Технологій та Дизайну м. Київ, 01015, Україна, тел: (044) 256 – 21-48 * Науково-дослідний центр квантової медицини «Відгук» м. Київ, 01033, Україна, тел: (044) 220-87-81, факс: (044) 220-44-82

Гестрін Г. Н., Єфімов Б. П. Інститут радіофізики та електроніки НАН України 61085, Харків, вул. Акад. Проскури, 12 Тел.: 38 (0572) 448570, факс: +38 (0572) 441105, e-mail: jean@ire.kharkov.ua