Yu P Bliokh, G S Nusinovich*, J Felsteiner, Y Carmel*, A G Shkvarunets*, J C Rodgers*, V L Granatstein* Physics Department, Technion-lsrael Institute of Technology Haifa, Israel *lnstitute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland College Park, MD, USA

Доронічі Ю В, Лепехина Т А, Миколаїв В І, Седін ​​М В ГУП НВЦ «ЕЛСОВ» 4-й Західний проїзд, д 8, стр1, м Зеленоград, 124460, Росія Тел : +7 (495) 5342684 (2-31), e-mail: nvi@elsovru Анотація – Розроблено та виготовлено шлейфовий переносник частот з синтезованими частотами гетеродинов Проведено випробування

Пінчукова Н А, Винниченко Т Ю, Волошко А Ю **, Грінащук А І, Кісіль Є М **, Самойлов В Л *, Солодилов А А *, Софронов Д С **, Шишкін О В ** Г / 7 «Завод хімічних реактивів» пр-т Леніна, 25, м Харків, 61001, Україна тел: (057) 341-05-01, e-mail: gp_zhr @ Kharkovcom * ЗАТ […]

Пройшовши трудовий шлях від простого інженера до генерального директора одного з найбільших підприємств військово-промислового комплексу колишнього Радянського Союзу – науково-виробничого обєднання «Сатурн» У м Києві, Україна, Лев Гассановіч вніс неоціненний вклад у створення в нашій країні мікрохвильових систем, як автор цілого ряду наукових відкриттів і технічних розробок в області телекомунікацій Під його керівництвом інститут досяг […]

Солодилов А А, Волошко А Ю \ Кісіль Є М \ Пінчукова Н аД Самойлов В Л, Шишкін О В \ Борзих Н В ^ ЗАТ Технологічний парк «Інститут монокристалів» пр Леніна, 60, м Харків, 61001, Україна e-mail: techno@isckharkovсот ^ Інститут сцинтиляційних матеріалів НТК «Інститут монокристалів» НАН України

Рухівець О В, Дзісяк А Б, Гусинський А В Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки м Мінськ, 220013, Білорусь тел +375 17 293-8496, e-mail: wsertum@yandexru, http :/ / wwwmwmlabcom Анотація – Проведено дослідження ефективної потужності випромінювання стільникових телефонів і мікрохвильових печей для діапазон частот 0,01-8,3 ГГц

Пінчукова Н А, Винниченко Т Ю, Волошко А Ю **, Грінащук А І, Кісіль Є М **, Кудін К А, Самойлов В Л *, Солодилов А А *, Софронов Д С **, Шишкіна С В **, Шишкін О В ** ДП «Завод хімічних реактивів» пр-т Леніна, 25, м Харків, 61001, Україна тел: (057) 341-05-01, e-mail: […]

Полєтаєв Д А, Таран О П, Шадрін А А Таврійський національний університет ім В І Вернадського пр Вернадського, 4, м Сімферополь, 95007, Україна тел: (80652) 23-03-60 E-mail: taran@tnucrimeaua Анотація – У статті наводиться чисельна модель мікрохвильового мікроскопа На підставі даної моделі зроблений розрахунок електричних полів в перетині коаксіального резонатора, що входить до складу мікрохвильового мікроскопа

Барів А А, Гущин С М НПФ «Микран», ВАТ «НІІПП» вул Вершиніна, д 47, м Томськ, 634034, Росія тел: +7 (3822) 413403, e-mail: a_barov@micranru Анотація – Описується розробка GaAs МІС pin діодного комутатора I                                       Введення

Козирєв А Б, Гайдуков М М, Гагарін А Г, Тумаркин А В, Разумов С В, Алтинніков А Г Санкт-Петербурзький державний електротехнічний університет (ЛЕТІ) вул проф Попова 5, Санкт-Петербург, 197376, Росія Тел: (812) 2344809, e-mail: mcl@eltechru Анотація – Розглянуто конструкція плоскопараллельного конденсатора на основі сегнетоелектричної тонкої плівки Представлена ​​СВЧ еквівалентна схема конденсатора Розраховані СВЧ параметри конденсатора […]