В даний час учені і дослідники намагаються все більш збільшити функціональність і щільність електронних мікросхем. Однією з можливих функціональних розширень сучасної мікроелектроніки є осередок резистивної пам’яті, так званий, «мемристор». Існування такого елемента вперше було передбачене в 1971 році, дослідні зразки були виготовлені в 2008 році. Мемристор – це пасивний двополюсний елемент, який може міняти свій […]