За визначенням MOSFET і IGBT являють собою перемикаючі пристрої, керовані напругою. В електричному ланцюзі управління вони не споживають струм в статичному режимі. Однак безпосередньо в моменти перемикання в потужних транзисторах протікають значні імпульси («кидки») струму, обумовлені наявністю паразитних елементів у структурі (головним чином ємності затвора). Зазвичай при включенні MOSFET струм стоку наростає швидше, ніж відбувається […]

Розробнику енергозберігаючої апаратури, який використовує сучасну елементну базу силової електроніки, необхідно вміти правильно організовувати структуру управління потужними силовими напівпровідниковими приладами. Нижче розглянемо найбільш часто зустрічаються на практиці випадки організації такого управління. В залежності від конкретної ситуації можна використовувати керування КМОП-логікою, емітгернимі повторителями, схемами управління з поділом ланцюгів заряду і розряду вхідний ємності. Розглянемо особливості організації […]

Драйвери – це спеціальні мікросхеми керування, що зв’язують виходи різних контролерів або логічних схем з входами потужних транзисторів вихідних каскадів перетворювачів або пристроїв керування двигуном.

Для побудови цілого ряду приладів побутової та промислової техніки необхідні драйвери, які можуть працювати як з нижнім, так і з верхнім ключем стійки (напівміст). Оскільки напруга живлення транзисторного напівмоста може становити кілька сотень вольт, таке ж напруги повинна витримувати і конструкція самого драйвера.

В біполярному транзисторі з ізольованим затвором (IGBT – Isolated Gate Bipolar Transistor) з’єднані в одному кристалі за схемою складеного фактично два типи транзисторів: потужний біполярний транзистор і керуючий MOSFET (рис. 2.13).

Існують значні відмінності між параметрами, конструкцією і технологією виготовлення малопотужних і потужних польових транзисторів MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) [15]. На рис. 2.10 представлений ескіз структури малопотужного МОП транзистора, а на рис. 2.11 – ескіз структури потужного MOSFET транзистора.

Без жодного перебільшення можна сказати, що зявилися не надто давно транзистори типу MOSFET і IGBT, становлять сьогодні основу силової перетворювальної техніки Більше того, без використання цих типів транзисторів немислима розробка скільки-надійного статичного перетворювача, що відповідає сучасним вимогам Тому дану главу, присвячену основний елементній базі силової електроніки, ми почнемо з розповіді саме про ці електронних елементах

Останнім часом досить динамічно поліпшуються характеристики класичних трьохелектродних MOSFET Сьогодні на вітчизняному ринку електронних компонентів можна зустріти представників так званого пятого покоління транзисторів MOSFET, що випускаються фірмою «International Rectifier» У маркуванні цих транзисторів присутня буква «N», наприклад, IRFZ44N, але їх достатньо легко сплутати з більш старої модифікацією, такої букви не мають – IRFZ44 Розмір кристала […]

Недбайло Ю А, «Радмір» ДП АТ НДІ радіотехнічних вимірювань вул Академіка Павлова, 271, м Харків, 61054, Україна Тел: +38 (057) 739-01-41, e-mail: nedbaylo@niiril

Раніше ми називали транзистори MOSFET майже ідеальними приладами для використання у виробах силової електроніки Зараз настав час повторити одне суттєве застереження, також зроблену нами вище: справедливість слів про ідеальність транзисторів MOSFET не ставиться під сумнів, якщо робоча напруга силових ланцюгів перетворювачів не перевищує 250 .. 300 (максимум – 400) В При подальшому підвищенні робочої напруги […]