З точки зору методів і конструктивних рішень проблеми відведення тепла всі корпуси для напівпровідникових приладів та ІМС силової електроніки можна розділити на три групи (рис. 6.2):

Європейська система PRO ELECTRON У Європі використовується система маркування, по якій позначення напівпровідникових приладів присвоюються організацією Association International Pro Electron (Табл. 27). За цією системою прилади для побутової апаратури широкого застосування позначаються двома буквами і трьома цифрами, для промислової і спеціальної аппаратури- трьома буквами і двома цифрами. Так, у приладів широкого застосування після двох букв […]

Потрійні сполуки і тверді розчини на їх основі є воістину невичерпним джерелом напівпровідникових матеріалів з широ ким спектром фізико-хімічних властивостей Хімічні звязки в потрійних напівпровідникових фазах, також як і в подвійних, носять змішаний характер – ковалентно-іонний-металевий Специфіка звязків у цих матеріалах обумовлена ​​наявністю атомів трьох сортів

Забезпечення прийнятної температури р-і-переходів у напівпровідникових приладах є найважливішим аспектом забезпечення їх надійності Це досить просто в стаціонарному режимі роботи, коли максимально допустимі струми вказані у технічній документації Ненабагато складніше визначити зміну температури при включенні приладу У технічній документації наводяться перехідні тепловиехарактерістікі, що звязують збільшення температури р-і-нерехода в порівнянні з температурою корпусу приладу під час […]

21 Грудень 2005 після важкої хвороби на 62 році життя пішов з життя вчений-фізик, член Програмного комітету КриМіКо Володимир Пилипович Дряхлушін

Карпович І А, Адакімчік А В, Козлова Є І, Оджа В Б, Янковський О Н Белгосуниверситет пр Незалежності, 4, м Мінськ, 220050, Білорусь e-mail: karpovich @ bsu by Анотація – Розроблено методику безконтактного виміру часу життя нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) в пластинах кремнію, що дозволяє створювати карти розподілу ефективного часу життя ННЗ по поверхні напівпровідникових […]

Для виготовлення багатьох напівпровідникових приладів необхідний легований матеріал Можливі такі способи легування: 1) легування вже вирощених кристалів 2) легування кристалів у процесі вирощування з рідкої фази 3) легування кристалів у процесі вирощування з газової фази

Слово епітаксії складається з двох грецьких слів: «епі» – «над» і «таксис» – «упорядкування» Тому термін епітаксії означає нарощування Кристалографічна орієнтованих монокристалічних шарів на монокристалічні підкладки або один на одного Монокристалічна підкладка в процесі вирощування грає роль затравочного кристала

Для розвитку прикладної напівпровідникової електроніки потрібне отримання напівпровідникових матеріалів із заданими властивостями В рамках звичайного емпіричного підходу з цією метою синтезують велику кількість кристалів різного складу, вивчають їх властивості і знаходять той

Гармаш В. Ф., Кіщинський А. А., Свистов Е. А. ФГУП «Центральний науково-дослідний радіотехнічний інститут» Російська Федерація, м. Москва, вул. Нова Басманна, д. 20 тел. (095) 261-61-70, e-mail: amplifiers@mail.ru Анотація В історичному плані розглядається розвиток тематики активних НВЧ пристроїв в ЦНІРТІ (перш ВНДІ-108), відмічаючи в цьому році 60-річчя з дня створення.