Абрамов І І, Гончаренко І А Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, м Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Анотація – З використанням комбінованої однозонної моделі проведено дослідження впливу концентрації домішки в приконтактних областях і форми барєрів на вольт-амперні характеристики резонанснотуннельних діодів на основі GaAs / AIGaAs

Обухів І А, Квяткевіч І І, Лавренчук А А Інтерфейс – МФГ вул Бардіна, д 4, корп 3, м Москва, 119334, Росія тел: +7- (095) -105-00-49, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfgru

Абрамов І. І., Гончаренко І. А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6. E-mail: nanodev@bsuir.edu.by Всі розрахунки проводилися для випадку нерівномірного сітки з наступними параметрами: мінімальний крок сітки 0.2 А, відношення між сусідніми кроками сітки 1.05, ставлення максимального кроку до мінімального НЕ перевищує 8.0. Для наведеної на рис.1 структури при […]

Майстренко В. К., Рад іонів А. А., Свєтлов С. Н. Нижегородський державний технічний університет вул. Мініна, 24, Нижній Новгород – 603006, Росія e-mail: svetlovsn@mail.ru Анотація – У доповіді описується постановка задачі