Оцінка теплового режиму транзистора IGBT є відправною точкою для прийняття рішення про розробку додаткового радіатора охолодження У технічній документації всі необхідні дані для такої оцінки є: наведено теплові опору «кристал-корпус», «корпус-радіатор», «кристал-середовище», мається графічно представлена ​​залежність нормованого теплового опору «кристал-корпус» від частоти проходження імпульсів