Сучасний стан мікроелектроніки характеризується неухильним підвищенням складності та вартості розробки інтегральних мікросхем (ІМС), зниженням їх «часу життя». Умови гострої конкуренції на цьому стрімко розвивається ринку диктують необхідність скорочення термінів проектування і виробничого освоєння нових виробів.

На підставі даних (отриманих з використанням RSM методології), що показують «відгук» вихідних характеристик технологічного маршруту формування структури η-МОП транзистора на флуктуації значущих технологічних параметрів, далі проводиться статистичний аналіз електричних характеристик приладу – в обговорюваному тут прикладі – η-МОП транзистора.

Ще в 1960 році при проведенні розробки осцилографа С1-12 вже згадуваний нами начальник відділу Московського НДІ 108 К.Е.Ергліс, неодноразово піднімав питання про їх точностних характеристиках. Як правило, в осцилографах тих років точність вимірювань по обох осях, записана в технічні умови, становила ± 10%, в той час як існувала потреба в значно більш точних приладах.

Вплив розкиду фізичних параметрів технологічного процесу виготовлення ІМС на параметри моделі транзистора моделюється з використанням так званої проміжної моделі [105]. Концепція перетворення технологічних параметрів в параметри моделі приладу ілюструється рис. 5.2. Тут проміжної моделлю є компактна модель приладу, за допомогою якої розраховуються вольт-амперні характеристики МОП-транзистора, а її рівняння мають звичайну структуру різних моделей транзистора (BSIM3, […]

Описувана тут методологія наскрізного статистичного проектування ТПСС, запропонована авторами в роботах [106-109], тестувалася на простому прикладі осередку інвертора, сформованому на основі МОП-транзисторів. Статистичний аналіз параметрів технології

Ієрархічний підхід до наскрізного статистичному аналізу ТПСС ілюструється рис. 5.1 Нижній рівень – рівень технології, який відображає параметри технологічних операцій. Параметр, який описує деяку характеристику технологічного процесу, є параметром технології, як, наприклад, товщина оксиду, рівень концентрації імплантованих іонів і т.д. Другий рівень – рівень приладу, який відображає характеристики приладів (елементної бази). Параметри цього рівня – […]

За способом реалізації процесу підгонки параметрів розрізняють електричну підгонку параметрів і підгонку з використанням лазера (табл. 3.5). При електричної підгонці можливе пережіганіе металевих перемичок (А1), діодних перемичок і полікремневих перемичок.

Крутов А В, Ребров А С ФГУП НПП «Исток» вул Вокзальна, 2а, м Фрязіно, 141190, Росія тел: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86, e-mail: cd1255@elnetmskru Анотація – Представлені результати розробки та практичної реалізації двох типів монолітного малошумні підсилювача 3-х сантиметрового діапазону Розглянуто конструкція і технологія виготовлення, наведені виміряні СВЧ параметри

Широков і Б, Полівкін С Н Севастопольський національний технічний університет Севастополь, СевНТУ, кафедра радіотехніки Стрілецька бухта, Студмістечко, 99053, Україна тел (+38 0692) 55-000-5, факс 55-414-5, e-mail: shirokov@stelsebastopolua Анотація – Зроблено аналіз можливості застосування радіохвильових гомодинного вимірювачів параметрів речовини в харчовій промисловості Дано рекомендації з впровадження даних вимірників в існуючі технологічні процеси харчової промисловості

Клочко т Р Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», ПБФ, 1720 пр Перемоги, 37, м Київ, 03056, Україна Анотація – Визначено основні напрямки комплексних досліджень стану організму для подальшої діагностики та його лікування Наведено результати дослідження власних полів обєкта при проведенні процедури неінвазивного опромінення низькоінтенсивним лазерним випромінюванням (НИЛИ)