Бердишев С Н, Саламатін В В Кафедра радіотехніки, Севастопольський національний технічний університет Студентське містечко, Стрілецька балка, м Севастополь, 99053, Україна тел: +38 0692 235108, e-mail: s-berdyshev@mailru

Петров В А, Жукова І В, Анохін В І Харківський національний університет радіоелектроніки проспект Леніна, 14, м Харків, 61166, Україна Тел: (057) 7021587, e-mail: anohinva @ gmail com Анотація – Розглядається поле за радиогоризонта З урахуванням форми розсіює області та середнього значення діелектричної проникності повітря Розраховані залежності інтенсивності розсіяного сигналу від кута розсіяння узгоджуються з […]

Єременко 3 Е, Ганапольський Є М Інститут радіофізики та електроніки ім А Я Усикова НАН України вул Ак Проскури, 12, Харків, 61085, Україна Тел: +38 (057) 7023-553, e-mail: z_eremenko@irekharkovua Анотація – Розроблено новий метод вимірювання комплексної діелектричної проникності сильно поглинаючої рідини в малому обсязі за допомогою обємного напівсферичного резонатора сантиметрового діапазону з малою центральної напівсферичної […]

Дрокин Н А, Тимашов В А Інститут фізики ім Л В Киренського СО РАН м Красноярськ, Академмістечко, 660036, Росія тел: (3912) 494591, e-mail: drokin@iphkrasnru Анотація – Наведено методику вимірювань діелектричної проникності (ДП) полярних рідких кристалів (РК), поміщених в макропористі полікапіллярние матриці в дециметровому діапазоні довжин хвиль Визначено ефективні значення ДП пористої матриці і обчислені істинні […]

Шепов В. Н., Дрокін Н. А. Інститут Фізики ім. Л. В. Киренського СО РАН Академмістечко, Красноярськ – 660036, Росія Красноярський державний технічний університет Красноярськ – 660074, Росія Тел.: (3912) 494591, e-mail: shepov@iph.krasn.ru, drokin@iph.krasn.ru

Пашков В. М., Молчанов В. І., Поплавко Ю. М. Національний технічний університет України «КПІ» Проспект Перемоги, 37, Київ – 03056, Україна Тел.: +38 (044) 4548450; e-mail: poplavko @ ieee.org Анотація – Запропоновано новий спосіб термокомпенсации діелектричних резонаторів НВЧ, виготовлених з високодобротних, але нетермостабільних діелектриків з високою проникністю. Проаналізовано кордону застосовності запропонованого методу.