До цих пір ми не поділяли гомо гетероепітаксіі Однак при гетероепітаксійних вирощуванні плівок існують специфічні проблеми Одна з них – це питання про характер сполучення кристалічних граток вирощуваної плівки і підкладки на межі розділу Наведемо основні з існуючих уявлень з цього питання

Лексика А А, Сухін Ф Г * Інститут Фізики ім Л В Киренського м Красноярськ, СО РАН, Академмістечко, 660036, Росія * Красноярський Державний Технічний Університет тел сл :3912-494591, e-mail: leksikov@iphkrasnru Анотація – Наводяться результати дослідження власної добротності і поведінки перших двох мод власних коливань Полоскова резонатора на підвішеній підкладці залежно від його конструктивних параметрів

Катрич В А, Майборода Д В, Погарський С Д, Пшенична С В, Саприкін І І, Шаулов Е Л Харківський національний університет імені В Н Каразіна Пл Свободи, 4, м Харків, 61077, Україна Тел: +38 (057) 7075278, e-mail: SergeyAPogarsky@univerkharkovua Анотація – Розглянуто властивості багатоелементної модифікованої гібридної металодіелектричних випромінюючої структури з екраном і синфазними щілинними випромінювачами в […]

Абревіатура «РКІ» розшифровується як «Рідкокристалічний Індикатор» По-англійськи – LCD (Liquid Crystal Display) Вперше рідкі кристали, як фізична речовина, були досліджені австрійським ботаніком FReinitzer в 1888 р при вивченні властивостей органічних тканин Однак минуло ще майже сторіччя, поки в 1964 р не зявився перший у світі калькулятор CS10A, що має ЖК-дисплей (фірма Sharp), а в 1966 […]

Вище нами були розглянуті деякі методи газової епітаксії, що використовують оборотні хімічні реакції Наступна група методів епітаксії заснована на кристалізації плівок з парової фази Вирощування плівок з парової фази, утвореної з атомів і молекул вирощуваного матеріалу, виробляється переважно в відкачаних вакуумних камерах (рис 913) Процес зводиться до створення потоку парів, що випускаються джерелом, нагрітим до […]

Експериментальне вивчення процесів зародкоутворення, зростання епітаксійних плівок і їх якості залежно від умов вирощування зараз проводиться за допомогою найсучаснішої апаратури безпосередньо в процесі конденсації На підставі цих досліджень можна зробити висновки про місця переважної адсорбції атомів, вивчити вплив забруднюючих газів на освіту зародків, оцінити щільність, досконалість і орієнтацію зародків, а також кількісно оцінити Eдиф і […]

МЛЕ або MBE6 являє собою процес епітаксіального зростання шарів різних сполук, що відбувається за рахунок реакцій між термічно створюваними молекулярними або атомними пучками відповідних компонентів на поверхні підкладки, що знаходиться в надвисокому вакуумі при підвищеній температурі В основі цієї технології лежить можливість зростання епітаксійних плівок, по суті, в динамічному режимі на відміну від більш традиційних […]

Процеси, що відбуваються при вирощуванні епітаксійних плівок методом газової епітаксії за допомогою хімічних реакцій, по суті, вже обговорювалися при описі вирощування монокристалів з газової фази (Див гл 6) Розглядалися два основних способи вирощування епітаксійних плівок з газової фази за допомогою хімічних реакцій: 1) метод дисоціації і відновлення газоподібних хімічних сполук і 2) метод газотранспортних реакцій

Останнім часом посилено розвивається технологія вирощування сверхрешеточних структур з газової фази з використанням металоорганічних сполук (MOCVD4) В основі цього методу лежить метод хімічних реакцій MOCVD являє собою метод вирощування, в якому необхідні компоненти доставляються в камеру зростання у вигляді газоподібних металлорганических алкільних сполук, і зростання шару здійснюється при термічному розкладанні (піролізі) цих газів і подальшої […]

Абрамов І. І., Гончаренко І. А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6. E-mail: nanodev@bsuir.edu.by Всі розрахунки проводилися для випадку нерівномірного сітки з наступними параметрами: мінімальний крок сітки 0.2 А, відношення між сусідніми кроками сітки 1.05, ставлення максимального кроку до мінімального НЕ перевищує 8.0. Для наведеної на рис.1 структури при […]