Розглянемо особливості легування кристалів у процесі їх вирощування з рідкої фази Широко застосовуваним методом отримання легованих монокристалів напівпровідників є вирощування їх з розплаву, до якого додана потрібна домішка Загальні принципи такого легування полягають у наступному Навішування домішки pi, Що підлягає введенню в розплав або рідку зону для отримання в твердому кристалі концентрації Ni, Розраховується за […]

До цих пір ми розглядали рівноважні коефіцієнти поділу, що розраховуються з фазових діаграм або одержувані методом, заснованим на вимірі концентрації вільних носіїв в легованих напівпровідниках І в тому, і в іншому методах коефіцієнт поділу визначався в умовах, близьких до рівноважних Ці умови, як правило, виконуються при досить малих швидкостях кристалізації розплаву У цьому випадку концентрація […]

Для оцінки ефективності очищення речовин від домішок кристалізацією з розплаву служить коефіцієнт поділу K, Що представляє собою відношення концентрації розчиненого речовини в твердій фазі до його концентрації в рідкій фазі: K = CS/CL                                        (51)

Ділення частоти. Найбільш часто для цього використовують лічильники, хоча можна розділити частоту за допомогою чекаючого мультівібратор, обмеживши число що проходять на вихід імпульсів. Приклад такої схеми показано на рис. 1.60.