Абрамов І І, Баранов А Л Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, М Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Для теоретичного дослідження одноелектронної приладової структури, зображеної на рис1, була розроблена модифікована фізікотопологіческая модель, яка поширює запропонований підхід [2,4 – 10] на випадок композиційної структури на основі кремнію Модель базується на чисельному рішенні рівняння […]

Шелковніков Б. Н. *, Шелковніков А. Б. **, Djuradj Budimir ** * Національний Технічний Університет України «КПІ» Україна, 4020, 252056, м.Київ, пр.Перемоги 37 факс: +380 (44) 241-7623, e-mail: shelk (a) ukr.net Wireless Communication Research Groups, Department of Electronic Systems, University of Westminster, London W1W 6UW, UK Tel +44 207 9115139; fax +44 207 5804319, e-mail: […]

Маринин А. В., Румянцев С. А. Федеральне державне унітарне підприємство «НВП Исток» 141190, Московська область, м. Фрязіно, Вокзальна 2а, Росія Fax (095) 9749013: e-mail: istkor@elnet.msk.ru Анотація – Розглянуто основні принципи побудови компактних багатопроменевих ЛБВ W-діапазону потужністю 10-50 Вт Запропоновані та досліджені конструкції замедляющей системи (ЗС), що погоджують пристроїв, багатопроменевої електронно-оптичної системи (МЕОС) для ЛБВ потужністю […]

Пашков В. М., Молчанов В. І., Поплавко Ю. М. Національний технічний університет України «КПІ» Проспект Перемоги, 37, Київ – 03056, Україна Тел.: +38 (044) 4548450; e-mail: poplavko @ ieee.org Анотація – Запропоновано новий спосіб термокомпенсации діелектричних резонаторів НВЧ, виготовлених з високодобротних, але нетермостабільних діелектриків з високою проникністю. Проаналізовано кордону застосовності запропонованого методу.