Козирєв А Б, Гайдуков М М, Гагарін А Г, Алтинніков А Г Санкт-Петербурзький Державний Електротехнічний Університет (ЛЕТІ) вул проф Попова 5, м Санкт-Петербург, 197376, Росія тел: (812) 2344809, e-mail: mcl@eltechru Анотація – Розглянуто спосіб вимірювання часів повільної релаксації діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок (СЕ) при впливі імпульсного керуючого напруги

Мєлков Г А, Васючков В І, Дзяпко А Д і Чумак А В Київський національний університет імені Тараса Шевченка (КНУ) вул Володимирська, 64, Київ, 01033, Україна тел: +38 (044) 526-05-53, fax: +38 (044) 526-06-00, e-mail: melkov@univkievua Анотація – Досліджено можливість створення пристроїв для обробки мікрохвильових сигналів на основі зразків залізо-ітрієві граната (ЖИГ) сферичної форми В […]

Москалюк В А, Куликов К В Кафедра фізичної та біомедичної електроніки, факультет електроніки, НТУУ «КПІ» пр Перемоги 37, м Київ, Україна тел: +380 (67) 236 55 85, e-mail: kvprint@mailru, kvprint@gmailcom Анотація – Запропоновано спосіб аналітичного розрахунку імпульсної провідності GaAs, заснований на релаксаційних рівняннях збереження імпульсу, енергії і концентрації, а також на аналізі часів релаксації для […]

Гришин С. В., Шараєвський Ю. П. Саратовський державний університет ім. Н.Г. Чернишевського, Саратов 410012, Росія Тел.: (8452) 516947; e-mail: sharaevskyyp@info.sgu.ru Гришин В. С. ЗАТ “НВЦ” Алмаз-Фазотрон “, Саратов 410033, Росія Тел.: (8452) 372727; e-mail: grishfam@sgu.ru