Для ряду практичних застосувань (створення тунельних діодів, світлодіодів та інших напівпровідникових приладів) необхідно отримувати сильно леговані напівпровідники Тому є важливим знання граничної розчинності CSmaxдомішок в матеріалі (у твердій фазі) Під цим терміном мається на увазі концентрація домішки в насиченому твердому розчині, утвореному основною речовиною і даної домішкою Якщо концентрація домішки в напівпровіднику менше CSmax, То […]

Процес дифузії може бути використаний для легування кристалів напівпровідників: обємного у разі швидко дифундують домішок і приповерхневого у разі повільно дифундують домішок (формування p − n-Переходу) Важливими параметрами дифузійного легування, як і легування взагалі, є гранична розчинність електрично активних домішок Cim  і її температурна залежність Як вже говорилося, основою для визначення Cim може служити рівняння (821) […]