Абрамов І І, Баранов А Л Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, М Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Для теоретичного дослідження одноелектронної приладової структури, зображеної на рис1, була розроблена модифікована фізікотопологіческая модель, яка поширює запропонований підхід [2,4 – 10] на випадок композиційної структури на основі кремнію Модель базується на чисельному рішенні рівняння […]

Абрамов І. І., Ігнатенко С. А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6. E-mail: nanodev (3> _bsuir.edu.bv Анотація З використанням фізико-топологічної моделі одноелектронного транзистора проаналізовано вплив положення та розміру електрода затвора на його підсилювальні властивості. При розрахунках за основу взято експериментальні дані для транзистора на основі тунельних переходів А1/АЮХ/ А1.

Абрамов І.І., Ігнатенко С.А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6. E-mail: nanodev (3> _bsuir.edu.bv ного переходу; e заряд електрона; kB постійна Больцмана; T-температура.