Сучасний стан мікроелектроніки характеризується неухильним підвищенням складності та вартості розробки інтегральних мікросхем (ІМС), зниженням їх «часу життя». Умови гострої конкуренції на цьому стрімко розвивається ринку диктують необхідність скорочення термінів проектування і виробничого освоєння нових виробів.

В. Мосягин, Великий Новгород В даний час в Росії і країнах СНД є два ультракороткохвильових діапазону радіомовлення – вітчизняний (УКВ) і зарубіжний (FM), що дає можливість приймати в стерео режимі достатньо багато радіостанцій. Часто виробники радіоприймальної апаратури випускають вироби з так званим розширеним діапазоном, що включає вітчизняний і зарубіжний. Однак аналіз цих приймачів і тюнерів […]

В. Я Братман, Г. Г. Денисов, Ю. К. Калин, Μ. М. Офіцерів, С. В. Самсонов, А. В. Савілов, А. Е. Федотов Інститут прикладної фізики РАН, Нижній Новгород У статті представлені результати теоретичних та експериментальних досліджень трьох нових перспективних різновидів мазерів на циклотронному резонансі (МНР) з помірно-релятивістськими електронними пучками. На відміну від традиційних гіротронов в цих […]

О. Богомолов, Ізраїль На WEB-сторінках, присвячених акустичному оформленню гучномовців, іноді зустрічаються рупорні системи. Вони відрізняються своїм незвичайним зовнішнім виглядом і непомірною ціною. Складність виготовлення рупора і застосування дорогих широкосмугових динаміків ставлять ці системи на недосяжну для конструкторів і любителів музики висоту. А ті деякі щасливчики, яким вдалося послухати високоякісну рупорні акустику, кажуть: «Хто хоч одного […]

А. Сириця (СРСР) Мабуть, не буде перебільшенням сказати, що сьогодні звуковідтворення – найпопулярніший напрям в радіоаматорському конструюванні. У довгому ланцюжку вузлів і пристроїв, від яких залежить якість звучання побутової радіоапаратури, останнім по місцю, але, напевно, першим за значенням стоїть гучномовець. Дійсно, якими б хорошими ні були джерела програм – магнітофон або електропроигривающих пристрій, а також […]

А П. Сухоруков, А В. Шелудченко Московський державний університет ім. М. В. Ломоносова На відміну від приладів гіротронного типу, де угруповання електронів обумовлена ​​релятивістським ефектом, в пеніотроне [1,2] ефект стимульованого випромінювання електронів обумовлений тим, що ВЧ-поле великий азимутальной неоднорідності зміщує провідний центр електронної орбіти в гальмуючу фазу. Цей ефект був виявлений теоретично в 1962 р […]

Блок-схема алгоритму реалізації власного комплексного підходу [106] до вирішення завдання статистичного аналізу в процесі наскрізного проектування виробів мікроелектроніки від етапу проектування технологічного процесу до проектування системи представлена ​​на рис. 5.3. Вихідні характеристики (результати апроксимації) кожного попереднього етапу є вхідними параметрами для подальшого етапу проектування.

Розвиток швидкісних осцилографів базується на характеристиках ЕЛТБВ, широкополосность яких визначається системами відхилення електронного променя. Поряд з основним розробником ЕЛТБВ В.А.Шкуновим (НДІ “Плантан”, г.Фрязіно) [18] великі теоретичні розробки з відхиляють системам ЕПТ проводилися у Вільнюському інженерностроітельном інституті (Висі) на кафедрі радіотехніки під керівництвом завідувача кафедрою, професора д.т.н. З.Вайноріса. Співробітниками кафедри: С.Штарасом, С.Мартаві-

Найбільш повно реалізують алгоритм управління двигуном внутрішнього згоряння цифрові системи і системи на основі мікроконтролера (рис. 3.94). Такі системи забезпечують оптимальну потужність, максимальну довговічність, максимальну економічність двигуна, а також мінімальну токсичність вихлопних газів [44, 49].

Вплив розкиду фізичних параметрів технологічного процесу виготовлення ІМС на параметри моделі транзистора моделюється з використанням так званої проміжної моделі [105]. Концепція перетворення технологічних параметрів в параметри моделі приладу ілюструється рис. 5.2. Тут проміжної моделлю є компактна модель приладу, за допомогою якої розраховуються вольт-амперні характеристики МОП-транзистора, а її рівняння мають звичайну структуру різних моделей транзистора (BSIM3, […]