Розглянемо P − T − X діаграми для бінарних систем Інтенсивні роботи з вивчення P − T − X  діаграм стану показали, що використання високих тисків (десятки і сотні тисяч атмосфер) у ряді випадків призводить до зміни типу діаграми стану, до різкої зміни температур фазових і поліморфних перетворень, до появи нових фаз, відсутніх в даній […]

Все, що досі говорилося про фазових перетвореннях, ставилося до рівноважним при даній температурі станам, тобто передбачалося, що швидкість зміни температури так мала, що при кожній температурі в системі встигає встановитися рівновагу Проте встановлення рівноваги в системі, що здійснюється шляхом дифузії, вимагає часу, тривалість якого залежить від природи дифундуючих елементів, середовища, температури, розміру і ступеня досконалості […]

Механічна підживлення розплаву твердою фазою Можливі два способи: Рис 72 Схема методу механічної підживлення розплаву твердою фазою: 1 – Живильний кристал 2 – Нагрівач для підігріву живлячої кристала 3 – Тигель 4 – Вирощуваний кристал 5 – Розплав 6 – Основний нагрівач

Питання про однорідність розподілу домішок по довжині і поперечному перетину вирощуваного монокристала вже обговорювалося в гол 5 і гол 6 З розглянутого матеріалу можна зробити висновок, що існує кілька факторів, що викликають появу неоднорідностей складу в зростаючому кристалі Неоднорідності з причин їх виникнення можна розділити на дві групи: сегрегаційних та технологічні

Для розвитку прикладної напівпровідникової електроніки потрібне отримання напівпровідникових матеріалів із заданими властивостями В рамках звичайного емпіричного підходу з цією метою синтезують велику кількість кристалів різного складу, вивчають їх властивості і знаходять той

Останнім часом посилено розвивається технологія вирощування сверхрешеточних структур з газової фази з використанням металоорганічних сполук (MOCVD4) В основі цього методу лежить метод хімічних реакцій MOCVD являє собою метод вирощування, в якому необхідні компоненти доставляються в камеру зростання у вигляді газоподібних металлорганических алкільних сполук, і зростання шару здійснюється при термічному розкладанні (піролізі) цих газів і подальшої […]

Вирівнювання складу вирощуваного кристала за допомогою програмного зміни умов росту можна побудувати виходячи з двох принципів Процеси, засновані на першому принципі, зводяться до програмного зміни швидкості витягування і обертання кристала Ця методика отримала достатньо широке розповсюдження і має багато модифікацій Суть методів, заснованих на цьому принципі, зводиться до наступного Якщо легування кристала проводиться нелетучей домішкою […]