Абрамов І І, Баранов А Л Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, М Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Для теоретичного дослідження одноелектронної приладової структури, зображеної на рис1, була розроблена модифікована фізікотопологіческая модель, яка поширює запропонований підхід [2,4 – 10] на випадок композиційної структури на основі кремнію Модель базується на чисельному рішенні рівняння […]

A E Belyaev\ N S Boltovets^, V N Ivanov^, V P Kladko\ R V Konakova\ Ya Ya Kudryk\ A V Kuchuk\ O S Lytvyn\ V V Milenin\ Yu N Sveshnikov^ ^ V Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine 41 Nauki Prosp, Kiev, 03028, Ukraine e-mail: konakova@ispkievua, Ph: +(380-44) […]

Arsentiev I. N.1, Bobyl A. V.1, Boltovets N. S.2, Ivanov V. N.2, Konakova R. V.3, Kudryk Ya. Ya.3, Lytvyn O. S.3, Milenin V. V.3, Tarasov I. S.1, Belyaev A. E.3, Rusu E. V.4 11offe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences 26, Polytekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg – 194021, Russia Tel.: + (7-812) 247-91-34, e-mail: tarasa@hpld.ioffe.rssi.ru […]

Boltovets N. S.1, Ivanov V. N.1, Sveshnikov Yu. N.2, Belyaev A. E.3, Avksentiev A. Yu.3, Konakova R. V.3, Kudryk Ya. Ya.3, Kurakin A. M.3, Milenin V. V.3 1 State Enterprise Research Institute “Orion”, tf, Eugene Pottier St., Kiev – 03057, Ukraine Tel.: +38044-465-0548, e-mail: bms@i.kiev.ua 2Closed Corporation “Elma-Malakhit”, Zelenograd, Russia 3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor […]

Рожков В. А., Родіонов М. А., Пашин А. В., Гурьянов А. М. Самарський державний університет вул. акад. Павлова, 1, Самара – 443011, Росія Тел.: (8462) 34-54-55; e-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Анотація – Досліджено електрофізичні властивості МДН-структур Al-Dy203-Gd203-Si. Встановлено, що електропровідність МДП-структур на постійному струмі задовільно описується механізмом Пула – Френкеля. Визначено значення щільності поверхневих станів на межі […]