Потужний біполярний транзистор є приладом з вертикальною структурою: з колектором на підкладці і висновками бази і емітера зверху (рис. 2.7) [15]. Колектор транзистора має дві області: слаболегірованних rr-область і сильнолегованих підкладку (рис. 2.1а). rr-область колектора легується слабкіше, ніж область бази, для того щоб змусити ОПЗ колекторного переходу розширюватися головним чином в колектор, а не в […]

Ф. С. Русин1, В. Л. Братман2, А. Е. Федотов2 1Інститут метрології часу і простору ДП “ВНИИФТРИ”, Менделєєве Московської обл .; 2Інститут прикладної фізики РАН, Нижній Новгород Використання відкритого резонатора дає Оротрон на субміліметрових хвилях важливі переваги перед іншими черепковскімі приладами. Згідно з розрахунками і попередніми експериментам, в довгохвильовій частини діапазону Оротрон з робочою напругою в […]

Мізернік В Н \ Шматько А А ^ Науковий с (} Ізіко-технологічний центр пл Свободи, 6, м Харків, 61077, Україна ^ Харківський національний університет ім В Н Каразіна пл Свободи, 4, м Харків, 61077, Україна тел: 8 -0572-7075-133, e-mail: AlexandrAShmatko@univerl<harl<ovua

Катрич В А, Майборода Д В, Погарський С Д, Пшенична С В, Саприкін І І, Шаулов Е Л Харківський національний університет імені В Н Каразіна Пл Свободи, 4, м Харків, 61077, Україна Тел: +38 (057) 7075278, e-mail: SergeyAPogarsky@univerkharkovua Анотація – Розглянуто властивості багатоелементної модифікованої гібридної металодіелектричних випромінюючої структури з екраном і синфазними щілинними випромінювачами в […]

В даний час відомо 104 хімічних елементи, з них 79 металів і 25 неметалів Серед останніх 13 елементів проявляють напівпровідникові, а інші 12 – діелектричні властивості (див табл 11) Але крім елементарних напівпровідників налічуються сотні і навіть тисячі зєднань, твердих розчинів, що мають напівпровідниковими властивостями Тому було б доцільно класифікувати напівпровідникові матеріали

У зєднаннях першого типу найбільш електронегативний елемент IVA підгрупи грає роль компонента B Розглянемо цей тип заміщення на прикладі зєднання Mg2Sn Mg2Sn кристалізується в структурі антіфлюоріта, яка показана на рис 224 Видно, що ця структура відрізняється від структури алмазу, а в молекулі два атоми A і число валентних електронів в розрахунку на один атом менше […]

Бєляєв Б А, Сержантов А М, Шабанов В Ф Інститут Фізики ім Л В Киренського СО РАН Академмістечко, м Красноярськ, 660036, Росія тел: 3912-494591, e-mail: belyaev@iphkrasnru Анотація – З енергетичних співвідношень отримано коефіцієнти звязку нерегулярних резонаторів в мікрополоскової моделі одновимірного фотонного кристала У триланкову фільтрі досліджено поведінку коефіцієнтів звязку резонаторів від їх конструктивних параметрів

Структура валентної оболонки – ns2np3 з n = 3 для фосфору, 4 для мишяку, 5 для сурми, 6 для вісмуту Розподіл електронів по осередках валентної оболонки показано на рис 215,а: Основний стан характеризується трьома електронами з неспареними спинами (p3), причому число їх не буде змінюватися навіть при переході одного з s-Електронів на p-Орбіту Таким чином, […]

Барів А А, Гущин С М НПФ «Микран», ВАТ «НІІПП» вул Вершиніна, д 47, м Томськ, 634034, Росія тел: +7 (3822) 413403, e-mail: a_barov@micranru Анотація – Описується розробка GaAs МІС pin діодного комутатора I                                       Введення

Воробйов Г С, Кривець А С, Журба В О Сумський державний університет вул Римського-Корсакова 2, Суми, 40007, Україна Тел: (0542) 392372 e-mail: vp@sumdueduua Шматько А А Харківський державний університет пл Свободи 4, Харків, 310007, Україна Тел: (0572) 457733 e-mail: aiexandrashmatko @ univerkharkovua