Сучасний стан мікроелектроніки характеризується неухильним підвищенням складності та вартості розробки інтегральних мікросхем (ІМС), зниженням їх «часу життя». Умови гострої конкуренції на цьому стрімко розвивається ринку диктують необхідність скорочення термінів проектування і виробничого освоєння нових виробів.

На підставі даних (отриманих з використанням RSM методології), що показують «відгук» вихідних характеристик технологічного маршруту формування структури η-МОП транзистора на флуктуації значущих технологічних параметрів, далі проводиться статистичний аналіз електричних характеристик приладу – в обговорюваному тут прикладі – η-МОП транзистора.

Сідельників Ю. Є., Шакиров А. С. Науково-Дослідницький Центр Прикладної Електродинаміки Казанського Державного Технічного Університету ім. А. Н. Туполева Росія; Казань 420111, а / я 381 Анотація Досліджуються вплив ефектів взаємного зв’язку при багатоелементної некогерентном порушенні робочих камер мікрохвильових технологічних установок. Наведено експериментальні дані для штирьових збудників в циліндричних камерах. Показана необхідність врахування взаємного зв’язку при […]