Користувачі звичайних дротових телефонних апаратів часто незадоволені рівнем гучності в них. Ця проблема тим більше актуальна, що серед населення, що користується послугами автоматичних та інших телефонних станцій, багато людей похилого віку зі зниженим слухом. Тим часом існує простий спосіб збільшити гучність (чутність) телефонного апарату (ТА) шляхом підвищення рівня сигналу на телефонному каналі. На Рис. 3.6 […]

Напівпровідниковий діод утворюється простим з’єднанням кристала типу η з кристалом типу р. Електрони в такому p-η переході можуть переміщатися з кристала п, де їх надлишок, до кристалу р, де вони в дефіциті, але виключно в одному напрямку. У напівпровідникових приладах процеси переміщення зарядів відбуваються в кристалі (твердому тілі), а в електронних лампах – у вакуумі.

За визначенням MOSFET і IGBT являють собою перемикаючі пристрої, керовані напругою. В електричному ланцюзі управління вони не споживають струм в статичному режимі. Однак безпосередньо в моменти перемикання в потужних транзисторах протікають значні імпульси («кидки») струму, обумовлені наявністю паразитних елементів у структурі (головним чином ємності затвора). Зазвичай при включенні MOSFET струм стоку наростає швидше, ніж відбувається […]

Телефонні апарати з вугільними мікрофонами в якості датчиків звуку можна було віднести до «доісторичним виробам», але, оскільки вони все ще продовжують «служити», з ними доводиться рахуватися. До цих пір численні державні установи у внутрішній телефонного зв’язку використовують такі телефонні апарати, а значить, штатним і нештатним фахівцям доводиться час від часу їх ремонтувати.

На підставі даних (отриманих з використанням RSM методології), що показують «відгук» вихідних характеристик технологічного маршруту формування структури η-МОП транзистора на флуктуації значущих технологічних параметрів, далі проводиться статистичний аналіз електричних характеристик приладу – в обговорюваному тут прикладі – η-МОП транзистора.

Важливою частиною електричної схеми радіолюбительських пристроїв автоматики є кінцеві, або погоджують, вузли. Від елементів стійкості до перевантажень, пожежо- та електробезпеки таких вузлів залежить загальна надійність всього пристрою. Вже багато років радіоаматори збирають власні конструкції на мікросхемах. Однак більшість цифрових популярних мікросхем не містять вузла управління потужної навантаженням.

Розробнику енергозберігаючої апаратури, який використовує сучасну елементну базу силової електроніки, необхідно вміти правильно організовувати структуру управління потужними силовими напівпровідниковими приладами. Нижче розглянемо найбільш часто зустрічаються на практиці випадки організації такого управління. В залежності від конкретної ситуації можна використовувати керування КМОП-логікою, емітгернимі повторителями, схемами управління з поділом ланцюгів заряду і розряду вхідний ємності. Розглянемо особливості організації […]

Біполярний транзистор – це напівпровідниковий прилад, виготовлений у вигляді тришарової напівпровідникової структури, що утворює два близько розташованих р-п-переходу. Транзистор має три висновки: «емітер», «База», «колектор».

Встановлено, що гранично допустима температура кремнієвого кристала ІМС – плюс 150 ° С. Дана температура задається не тільки зовнішнім середовищем, а й нагріванням активної структури кристала в процесі роботи мікросхеми. Для малопотужних мікросхем даний нагрів неістотний і температура кристала ненабагато перевищує температуру навколишнього середовища. Для потужних схем при неправильно вибраному тепловому режимі експлуатації температура кристала […]

Реле часу РВ-03 призначено для отримання витягів часу на повернення після відключення напруги живлення і застосовується в схемах РЗА на змінному оперативному струмі. Номінальна напруга змінного струму 50 Гц (залежно від виконання) – 100,127, 220 або 380 В.