Ще один безкоштовний продукт під назвою «Melcosim» випускається компанією «Mitsubishi Electric» На момент написання цієї книги на сайті фірми доступна версія 403, якою ми і скористаємося Головне вікно програми показано на рис 3337 Починати розрахунок необхідно з завдання вихідних даних силової схеми: напруги живлення силового ланцюга постійного струму (Vcc), вихідного струму (Io), частоти перетворення (fc) […]

Відмінністю цього варіанту комутатора від описаних вище є можливість адресації викликів, що надходять на центральний пульт, одному з абонентів Така необхідність виникає, наприклад, якщо чергового центрального пульта з якихось причин викликати не можна Отже, комутатор може працювати в двох режимах: коли всі виклики надходять на центральний пульт і коли відбувається переадресація викликів з центрального пульта […]

Призначений для людей зі зниженим слухом, він забезпечує появу світлового сигналу при надходженні виклику до абонента (рис 414) Індуктивний датчик L1 розташовують у магнітному полі котушки дзвінка телефонного апарату Створюване їм змінну напругу через розділовий конденсатор С1 надходить на вхід підсилювача на логічному елементі DD11, що працює в аналоговому (лінійному) режимі Такий режим досягається введенням […]

Кіщинський А А ЗАТ «Мікрохвильові системи» вул Нова Басманная, д20, корЗ, м Москва, 105066, Росія тел: +7 (095) 263-96-29, e-mail: ak@mwsystemsru wwwmwsystemsru Анотація – У доповіді викладені результати розробки та експериментального дослідження параметрів гинув-рiдному-інтегральних підсилювальних каскадів на основі нових карбід-кремнієвих (SiC) транзисторів CRF24010 Реалізовано малогабаритні підсилювальні елементи в діапазоні 08-25 ГГц з посиленням 9-10 дБ […]

Здатність навантаження одній лінії MK не безмежна Бувають ситуації, коли необхідно між світлодіодом і виходом порту поставити буферний транзистор Роблять це в тих випадках, коли:

Звернемося тепер до інших закордонним фірмам, що випускають драйверні мікросхеми для побудови перетворювальної техніки невеликої потужності Фірма «ONSemiconductor» [28] представлена ​​на ринку силової електроніки лінійкою драйверів в інтегральному

Ахрамовіч Л Н, Зуєв С А, Старостенко В В, Терещенко В Ю Таврійський національний університет ім В І Вернадського пр Вернадського, 4, м Сімферополь, 95007, Україна e-mail: sa_zuev@tnucrimeaua Чурюмов Г І Харківський національний університет радіоелектроніки Пр Леніна, 14, м Харків, 61166, Україна e-mail: churyumov @ kture kharkov ua Борисов A A, Петров A M

Галдецької А В ФГУП «НВП Исток» м Фрязіно, 141190, Росія тел: 495-465-8620, e-mail: galdetskiy@mailru Рис 1 Схема і топологія каскодного включення секцій транзистора з частотнокомпенсірованним дільником

Аболдуев І М, Гладишева Н Б, Дорофєєв А А, Міннебаев В М, Чернявський А А ФГУП НПП «Пульсар» Окружний пр, 21, м Москва, 105187, Росія факс 495-365-05-30, e-mail: pulsar@dolru Анотація – Представлені результати проектування і виготовлення малошумящих НЕМТ на основі AIGaN / GaN гетероструктур для використання в L-діапазону зоні На частоті Р = 1,5 ГГц […]

Рис 101 Схема