При наявності вакансії в обсязі або в поверхневому шарі решітки-якої з сусідніх з нею атомів може стрибком зайняти її місце Це рівнозначно тому, що вакансія стрибком переміститься на місце атома Багаторазове повторення такого акта і буде представляти собою міграцію вакансій і відповідно дифузію атомів у зворотному напрямку Однак навіть при переході атома зі свого вузла […]

Дифузія в напівпровідникових матеріалах має ряд особливостей Найважливішою з цих особливостей є наявність в напівпровідниках електрично активних домішок і власних дефектів, насамперед вакансій Кулонівське взаємодія між ними змінює рухливість, концентрацію і характер розподілу дефектів і відповідно умови і швидкість дифузії Важливо також, що вплив домішок у напівпровідниках проявляється при дуже малих концентраціях Крім того, на […]

Точковий дефект – Це порушення кристалічної структури, розміри якого у всіх трьох вимірах порівняти з одним або декількома міжатомними відстанями Точковий дефект може мати просту або складну структуру Вакансія – Це найпростіший структурний дефект, що представляє собою вільний вузол решітки, який повинен бути зайнятий атомом або іоном у скоєному кристалі Вакансії позначаються VA, VB, .., […]

Грядунов в і Запорізький національний технічний університет вул Жуковського, 64, м Запоріжжя, Україна, 69063 тел: 0612-646733, e-mail: griadun@zntueduua Анотація – У рамках методу молекулярної механіки ММ + розроблені моделі вакансій в вуглецевих нанот-рубках діаметрами 0,82 і 1,20 нм, а також у деяких фулеренів Вакансії моделювалися шляхом перенесення атомів з відповідних вузлів наноструктури на її поверхню […]