Ви прийняли рішення щодо програмних та апаратних вимог до вашого проекту, і це дуже добре, але для справжньої реалізації вашого пристрою вам потрібно виготовити схему з усіма її компонентами (Щоб запрограмувати і протестувати її). Після того як кількість компонентів перевищує певну межу, збірка макета пристрою стає складною. До того ж, схеми, виконані на макетної платі, […]

МОП транзистор з малою довжиною каналу (меншою 1 мкм) може бути сформований таким чином: спочатку крізь розкрите вікно проводять легування р типу, а потім через те ж вікно проводять легування п+ витоків. Оскільки через полікремнієвих затвора виходить самосовмещеніе п+ір областей, ефективна довжина каналу визначається як відстань між двома горизонтальними областями п+ і р типу провідності. […]

Для отримання електрики можна використовувати деякі фрукти і овочі. Вміщені в них електроліти придатні для виготовлення найпростіших гальванічних елементів. Для виготовлення “фруктового” джерела живлення буде потрібно лимон, а також два електроди: мідний і цинковий. Напруга такого джерела живлення дорівнює приблизно 0,9 В. Величина струму залежить від площі електродів, що контактують з електролітом, а також від […]

О. Богомолов, Ізраїль На WEB-сторінках, присвячених акустичному оформленню гучномовців, іноді зустрічаються рупорні системи. Вони відрізняються своїм незвичайним зовнішнім виглядом і непомірною ціною. Складність виготовлення рупора і застосування дорогих широкосмугових динаміків ставлять ці системи на недосяжну для конструкторів і любителів музики висоту. А ті деякі щасливчики, яким вдалося послухати високоякісну рупорні акустику, кажуть: «Хто хоч одного […]

У старовинних легендах розповідається про майстерних майстрів, які розбивали золоті бляхи, потім розрізали ці листи на нитки і вплітали їх у тканини між різнокольоровими вовняними нитками. Мистецтво виготовлення дроту відомо з таких же давніх часів, як і мистецтво ковки мечів і копій. Дріт з дорогоцінних металів застосовувалася для прикрас, а залізний дріт – для виготовлення […]

Радченко А В, Радченко В В ФГУП «ЦНІРТІ ім Академіка А І Берга »20, вул Нова Басманная, м Москва, 105066, Росія тел: +7 (495) 263-95-22, e-mail: optimizer (^ mailru Кіщинський А А ЗАТ «Мікрохвильові системи »вул Нова Басманная, 20, м Москва, 105066, Росія тел: +7 (495) 263-96-29, e-mail: ak@mwsystemsru Бутерін А В ЗАО НПЦ «Алмаз-Фазотрон» […]

Аболдуев І М, Гладишева Н Б, Дорофєєв А А, Міннебаев В М, Чернявський А А ФГУП НПП «Пульсар» Окружний пр, 21, м Москва, 105187, Росія факс 495-365-05-30, e-mail: pulsar@dolru Анотація – Представлені результати проектування і виготовлення малошумящих НЕМТ на основі AIGaN / GaN гетероструктур для використання в L-діапазону зоні На частоті Р = 1,5 ГГц […]

Барів А А, Гущин С М НПФ «Микран», ВАТ «НІІПП» вул Вершиніна, д 47, м Томськ, 634034, Росія тел: +7 (3822) 413403, e-mail: a_barov@micranru Анотація – Описується розробка GaAs МІС pin діодного комутатора I                                       Введення

Радченко В В, Радченко А В ФГУП «ЦНІРТІ ім академіка А І Берга »вул Нова Басманная, 20, м Москва, 105066, Росія тел: +7 (495) 263-95-22, e-mail: optimizer@mailru Бутерін А В ЗАТ НВЦ «Алмаз-Фазотрон» 1,                                        вул Панфілова, м Саратов, 410033, Росія тел: +7 (8452) 479-933, e-mail: ruletka88@mailru

Яцуненко А Г, Джевінскій В П, Вінтман 3 Л Інститут технічної механіки (ІТМ) НАН і НКА України вул Ляшко-Попеля, 15, м Дніпропетровськ, 49005, Україна тел: 056 – 7135341, e-mail: anatoly@rameddpua Покатаєв В Н Державне конструкторське бюро «Південне» ДКБП м Дніпропетровськ, Україна тел: +38 (0562) 384792, e-mail: info@yuzhnoyecom