Вирощування кристалів з розплаву в даний час є найбільш поширеним промисловим процесом, тому що в порівнянні з іншими методами методи вирощування з розплаву володіють найвищою продуктивністю Це обумовлено тим, що в розплавах дифузійні процеси в рідкій фазі (дифузія до фронту кристалізації компонентів кристаллизующейся фази) не є лімітуючої стадією процесу За допомогою цих методів можна отримувати […]

Метод сублімації-конденсації можна застосовувати для вирощування конгруентно випаровуються напівпровідникових зєднань і твердих розчинів на їх основі, компоненти яких мають досить високими тисками парів (≈ 1 мм рт ст), а також у випадках, коли кристали матеріалів складно виростити іншими методами Вирощування

Метод рідинної епітаксії за своєю суттю нічим не відрізняється від методу вирощування обємних монокристалів з розчинів, який вже докладно розглядалося (див гл 6) Основною перевагою методу рідинної епітаксії є те, що зростання епітаксіальної плівки відбувається при температурах нижчих, ніж температура плавлення вихідної речовини Розберемо докладніше цей метод вирощування епітаксійних плівок на прикладі системи Ge-In Для […]

Розглянемо особливості легування кристалів у процесі їх вирощування з рідкої фази Широко застосовуваним методом отримання легованих монокристалів напівпровідників є вирощування їх з розплаву, до якого додана потрібна домішка Загальні принципи такого легування полягають у наступному Навішування домішки pi, Що підлягає введенню в розплав або рідку зону для отримання в твердому кристалі концентрації Ni, Розраховується за […]

У технології напівпровідників поряд з кристалізацією речовин з власних розплавів широко використовуються процеси, засновані на кристалізації з розчинів Основною перевагою цього методу вирощування кристалів є те, що процес проводять при значно нижчих температурах, ніж кристалізація з розплавів Вирощування з розчинів часто є єдиним методом, що дозволяє отримувати обємні напівпровідникові монокристали з дуже високими температурами плавлення […]

Дана група методів в даний час є найбільш поширеною при промисловому виробництві великих монокристалів напівпровідників з контрольованими і відтворюваними властивостями Принцип методу витягування кристалів з розплаву вперше був запропонований Чохральского в 1916 р Зараз існує значна кількість різних його модифікацій Суть методу полягає в наступному

Ці методи служать для підвищення виходу матеріалу з рівномірним розподілом домішки Їх відмітною особливістю є те, що протягом усього кристаллизационного процесу в нього вводяться певні зміни Активні методи вирівнювання складу поділяються на дві основні групи

Механічна підживлення розплаву твердою фазою Можливі два способи: Рис 72 Схема методу механічної підживлення розплаву твердою фазою: 1 – Живильний кристал 2 – Нагрівач для підігріву живлячої кристала 3 – Тигель 4 – Вирощуваний кристал 5 – Розплав 6 – Основний нагрівач