БіКМОП технологія характеризується виготовленням на одному кристалі ІМС п-МОП 1, р-МОП 2, п-р-п 3, р-п-р 4 транзисторів, а також пасивних елементів. Послідовність технологічних операцій приведена нижче. На підкладці p-типу провідності методом дифузії або іонним легуванням сурми (або миш’яку) формують п+ прихований шар 5.

Прилад призначений для перевірки і відновлення кінескопів, а також інших електронно-променевих трубок і радіоламп. Він дозволяє оцінити струм емісії електронної гармати, перевірити наявність міжелектродних замикань і витоків в ланцюгах катод – підігрівач, катод – модулятор, що прискорює електрод – модулятор, що прискорює електрод – фокусуючий електрод, а також між електродами радіоламп: катод – підігрівач, катод-керуюча […]