Найбільш широке поширення в ІМС стабілізаторів напруги та інших аналогових ІМС в даний час отримали джерела опорного напруги, рівного ширині забороненої зони напівпровідника [16]. В основі принципу роботи такої схеми лежить ідея генерації напруги з позитивним температурним коефіцієнтом, рівним по абсолютній величині негативного температурному коефіцієнту напруги 1 /‘е (Або діода). У такому випадку при додаванні […]

Розподіл речовин по переважного характеру межатомной звязку (іонна, ковалентний, металева) відповідає їх якісному поділу на діелектрики, напівпровідники і метали, оскільки характер хімічної звязку визначає фізичні властивості матеріалів Природно, тому робилися і робляться численні спроби встановити кореляцію між найважливішими параметрами напівпровідникових матеріалів (Шириною забороненої зони Eg, Рухливістю носіїв заряду μ, теплопровідністю κ) та їх крісталлохіміче