Розробнику енергозберігаючої апаратури, який використовує сучасну елементну базу силової електроніки, необхідно вміти правильно організовувати структуру управління потужними силовими напівпровідниковими приладами. Нижче розглянемо найбільш часто зустрічаються на практиці випадки організації такого управління. В залежності від конкретної ситуації можна використовувати керування КМОП-логікою, емітгернимі повторителями, схемами управління з поділом ланцюгів заряду і розряду вхідний ємності. Розглянемо особливості організації […]

АКБ в звязці з сонячною батареєю або вітрогенератором, розглянутими в попередніх розділах книги необхідний як елемент, що діє за прямим призначенням – акумулює енергію При слабкій сонячної активності, вночі, а також при нестабільному (або повній відсутності) вітрі, заряд АКБ зменшується або пропадає зовсім і батарея віддає енергію споживачеві в даному випадку безпосередньо або за допомогою […]

Датчиками зображення називаються напівпровідникові пристрої, що перетворюють світловий потік (фотони) в електричну напругу з подальшим отриманням його значення у цифровому вигляді Твердотілим датчиком зображення є напівпровідниковий фоточуттєвий прилад – фотосканерів На основі фізичних ефектів, що виникають у напівпровідниках під дією світлового випромінювання, зявився Charge Coupled Device (CCD) – прилад із зарядним звязком (ПЗЗ) Функціонально ПЗС […]

На рис 842 наведена схема включення ИС MAX634 в якості джерела живлення ланцюзі регулювання контрастності РК дисплея, в якому для підвищення ефективності використаний принцип перекачування заряду На рис 843 показана залежність ККД від струму навантаження Застосування даної схеми особливо доцільно у випадку роботи джерела живлення ЖКдісплея безпосередньо від батареї, оскільки в ній імпульсний стабілізатор підсилює […]

Карпович І А, Адакімчік А В, Козлова Є І, Оджа В Б, Янковський О Н Белгосуниверситет пр Незалежності, 4, м Мінськ, 220050, Білорусь e-mail: karpovich @ bsu by Анотація – Розроблено методику безконтактного виміру часу життя нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) в пластинах кремнію, що дозволяє створювати карти розподілу ефективного часу життя ННЗ по поверхні напівпровідникових […]

Без жодного перебільшення можна сказати, що зявилися не надто давно транзистори типу MOSFET і IGBT, становлять сьогодні основу силової перетворювальної техніки Більше того, без використання цих типів транзисторів немислима розробка скільки-надійного статичного перетворювача, що відповідає сучасним вимогам Тому дану главу, присвячену основний елементній базі силової електроніки, ми почнемо з розповіді саме про ці електронних елементах

На рис 714 наведено приклад використання інтегральної мікросхеми MAX620 для управління потужними переключающими і керуючими схемами Схема перекачування заряду виробляє стабілізовану вихідна напругу, яка на 11 В перевищує напруга живлення Vcc, Що подається на ІВ Схема управління передає вхідний логічний сигнал рівня TTJI / КМОП на свій неинвертирующий вихід, на якому амплітуда сигналу збільшується до […]

На рис 831 представлена ​​схема використання ІС MAX713 в пристрої прискореного заряду (з лінійною стабілізацією) нікель-кадмієвих та нікель-металлогід-рiдному акумуляторів Тут вирішені дві взаємоповязані проблеми, які мають місце в портативних джерелах живлення, – перемикання з батарейного живлення на мережеве при включенні зовнішнього мережевого адаптера в розетку і заряд акумуляторів ІС MAX713 забезпечує струм живлення системи одночасно […]

Філатов Р А, Храмов А Е, Калінін Ю А, Єгоров Є Н Саратовський державний університет Саратов, 410012, Росія Тел: (8452) 514294 e-mail: slattern@nonlinsguru, aeh@nonlinsguru Анотація – У роботі в рамках чисельного моделювання проводиться дослідження іонізації залишкових газів в робочій камері на коливальні процеси і ха-рактеристики генерації низьковольтного віркатора Запропоновано чисельна модель дозволяє врахувати іонізацію залишкового […]

Встановлення взаємозвязку між ступенем ионности напівпровідникових сполук λ і подвижностями носіїв заряду μ в них скрутно, насамперед, через сильну чутливості μ до дефектів кристалів У той час як вимірювання Eg в зразках з широким діапазоном значень концентрації домішок і дефектів дають одне і те ж значення, для виміру «решеточной» рухливості μL (Див нижче) необхідно мати чисті і […]